Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор T0850VB25E


ТранзисторT0850VB25E
ТипSingle
Vce, V2500.0
Vge,V20.0
Ic, A850.000
Ic max, A1700.0
P, W4400.000
t min,C-40
t max,C125
Rth,C0.02
Vce sat. V2.05
Cies,pF110000.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS1100.00
t rise, nS2000.00
t off, nS1500.00
t fall, nS6000.00
Eon,mJ2000.000
Eoff,mJ1400.000
Etot,mJ
Qg, nC6500.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
T0850VB25E Datasheet IXYS