Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор T1200EB45E


ТранзисторT1200EB45E
ТипSingle
Vce, V4500.0
Vge,V20.0
Ic, A1200.000
Ic max, A2400.0
P, W12500.000
t min,C-40
t max,C125
Rth,C0.01
Vce sat. V2.80
Cies,pF200000.0
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS1800.00
t rise, nS3000.00
t off, nS1600.00
t fall, nS2200.00
Eon,mJ5700.000
Eoff,mJ5100.000
Etot,mJ
Qg, nC12000.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • IXYS (http://www.ixyspower.com)
T1200EB45E Datasheet IXYS