Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD200G


ТранзисторMJD200G
ТипNPN
Vcb, V40
Vce, V25.0
Veb, V8.0
Ic, A5.000
Ic max, A10.000
P, W12.500
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, °C/W10.000
Vce sat. V1.80
hfe min10
hfe max180
f, Hz65000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF80.0
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MJD200G Datasheet ON