Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD350T4G


ТранзисторMJD350T4G
ТипPNP
Vcb, V300
Vce, V300.0
Veb, V3.0
Ic, A0.500
Ic max, A0.750
P, W15.000
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, °C/W8.330
Vce sat. V1.00
hfe min30
hfe max240
f, Hz10000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MJD350T4G Datasheet ON