Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD50T4G


ТранзисторMJD50T4G
ТипNPN
Vcb, V500
Vce, V400.0
Veb, V5.0
Ic, A1.000
Ic max, A2.000
P, W15.000
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, °C/W8.330
Vce sat. V1.00
hfe min10
hfe max150
f, Hz10000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MJD50T4G Datasheet ON