Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD253T4G


ТранзисторMJD253T4G
ТипPNP
Vcb, V100
Vce, V100.0
Veb, V7.0
Ic, A4.000
Ic max, A8.000
P, W12.500
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, °C/W10.000
Vce sat. V0.60
hfe min15
hfe max180
f, Hz40000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF50.0
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MJD253T4G Datasheet ON