Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD45H11G


ТранзисторMJD45H11G
ТипPNP
Vcb, V80
Vce, V80.0
Veb, V5.0
Ic, A8.000
Ic max, A16.000
P, W20.000
t min, °C-55
t max, °C150
Rth, °C/W6.250
Vce sat. V1.00
hfe min40
hfe max
f, Hz90000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF130.0
t on, ns
t off, ns600.0
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
MJD45H11G Datasheet ON