Справочник по биполярным транзисторам. Datasheet на транзистор MJD122T4G


ТранзисторMJD122T4G
ТипNPN
Vcb, V100
Vce, V100.0
Veb, V5.0
Ic, A8.000
Ic max, A16.000
P, W20.000
t min, °C-65
t max, °C150
Rth, °C/W6.250
Vce sat. V4.00
hfe min100
hfe max12000
f, Hz4000000
R1, Ohm
R2, Ohm
Cobo, pF200.0
t on, ns
t off, ns
td, nS
tr, nS
ts, nS
tf, nS
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • ON (http://www.onsemi.com)
  • STMicroelectronics (http://www.st.com)
MJD122T4G Datasheet ON