Справочник по диодам и диодным мостам. Datasheet на диод HERAF806G


ДиодHERAF806G
ТипHighEfficient
V, V600.0
I, A8.000
Imax, A150.000
trr, nS80.00
C, pF
f, Hz
Vf, V1.700
P, W
Ir, mkA10.000
t fr,nS
t min,C
t max,C
Rth,C
Eas,mJ
dV/dt,nS
Возможные корпусаITO-220AC
Производитель
  • Taiwan semiconductor (http://www.ts.com.tw)
HERAF806G Datasheet Taiwan semiconductor