Справочник по диодам и диодным мостам. Datasheet на диод 1N5809US


Диод1N5809US
ТипSilicon
V, V100.0
I, A6.000
Imax, A125.000
trr, nS30.00
C, pF45.00
f, Hz
Vf, V0.875
P, W
Ir, mkA5.000
t fr,nS
t min,C-65
t max,C175
Rth,C22.00
Eas,mJ
dV/dt,nS
Возможные корпусаDO-214AA
Производитель
  • Microsemi (http://www.microsemi.com)
  • EIC (http://eicsemi.com)
  • Semtech (http://www.semtech.com)
1N5809US Datasheet Semtech