Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор MMG200D170B6EN


ТранзисторMMG200D170B6EN
Тип-
Vce, V1700.0
Vge,V
Ic, A200.000
Ic max, A
P, W1100.000
t min,C
t max,C
Rth,C0.10
Vce sat. V2.20
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS
Eon,mJ
Eoff,mJ63.000
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • MacMic (http://www.macmicst.com.tw)
MMG200D170B6EN Datasheet MacMic