Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IGP30N65H5


ТранзисторIGP30N65H5
Тип-
Vce, V650.0
Vge,V
Ic, A55.000
Ic max, A90.0
P, W188.000
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V1.65
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS18.00
t rise, nS4.00
t off, nS180.00
t fall, nS22.00
Eon,mJ0.280
Eoff,mJ0.100
Etot,mJ
Qg, nC70.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-220
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IGP30N65H5 Datasheet Infineon (Siemens)