Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор IGW50N65H5A


ТранзисторIGW50N65H5A
Тип-
Vce, V650.0
Vge,V
Ic, A80.000
Ic max, A150.0
P, W270.000
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V1.66
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS21.00
t rise, nS12.00
t off, nS173.00
t fall, nS11.00
Eon,mJ0.450
Eoff,mJ0.160
Etot,mJ
Qg, nC116.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
IGW50N65H5A Datasheet Infineon (Siemens)