Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SEG40660


ТранзисторSEG40660
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V
Ic, A60.000
Ic max, A
P, W150.000
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V1.80
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS500.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-258
Производитель
  • Semitronics Corp (http://www.semitronics.com)