Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор F3L75R07W2E3_B11


ТранзисторF3L75R07W2E3_B11
Тип-
Vce, V600.0
Vge,V
Ic, A75.000
Ic max, A
P, W
t min,C
t max,C
Rth,C
Vce sat. V1.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS
t rise, nS
t off, nS
t fall, nS
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаEasy2B
Производитель
  • Beijing Jingchuan Electronic Company (http://igbt.cn)
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
F3L75R07W2E3_B11 Datasheet Infineon (Siemens)