Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGA25S125P


ТранзисторFGA25S125P
ТипSingle
Vce, V1250.0
Vge,V25.0
Ic, A50.000
Ic max, A75.0
P, W250.000
t min,C-55
t max,C175
Rth,C0.60
Vce sat. V1.80
Cies,pF2150.0
Coes,pF48.0
Cres,pF36.0
t on, nS24.00
t rise, nS250.00
t off, nS502.00
t fall, nS138.00
Eon,mJ1.085
Eoff,mJ0.580
Etot,mJ1.665
Qg, nC204.0
Qgc,nC15.0
Qge,nC103.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-3PN
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGA25S125P Datasheet FairChild (Samsung)