Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGH75T65UPD


ТранзисторFGH75T65UPD
ТипSingle
Vce, V650.0
Vge,V20.0
Ic, A150.000
Ic max, A225.0
P, W375.000
t min,C-55
t max,C175
Rth,C0.40
Vce sat. V1.65
Cies,pF5665.0
Coes,pF205.0
Cres,pF100.0
t on, nS32.00
t rise, nS43.00
t off, nS166.00
t fall, nS24.00
Eon,mJ2.850
Eoff,mJ1.200
Etot,mJ4.050
Qg, nC385.0
Qgc,nC210.0
Qge,nC45.0
t rr,nS65.0
Qrr, nC120.00
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGH75T65UPD Datasheet FairChild (Samsung)