Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор GM200HB12CT


ТранзисторGM200HB12CT
ТипDual
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A260.000
Ic max, A400.0
P, W
t min,C-40
t max,C150
Rth,C0.09
Vce sat. V1.70
Cies,pF14420.0
Coes,pF760.0
Cres,pF660.0
t on, nS290.00
t rise, nS50.00
t off, nS520.00
t fall, nS90.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS170.0
Qrr, nC18000.00
Возможные корпуса
Производитель
  • KEC (http://www.kec.co.kr)
GM200HB12CT Datasheet KEC