Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор TSG10N120CN


ТранзисторTSG10N120CN
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V30.0
Ic, A21.000
Ic max, A42.0
P, W125.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.00
Vce sat. V2.30
Cies,pF6800.0
Coes,pF65.0
Cres,pF10.0
t on, nS30.00
t rise, nS13.00
t off, nS130.00
t fall, nS230.00
Eon,mJ0.300
Eoff,mJ0.500
Etot,mJ
Qg, nC33.0
Qgc,nC17.5
Qge,nC6.5
t rr,nS70.0
Qrr, nC170.00
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • Taiwan semiconductor (http://www.ts.com.tw)
TSG10N120CN Datasheet Taiwan semiconductor