Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTP1N120BN

Транзистор	HGTP1N120BN
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	5.300
Ic max, A	6.0
P, W	60.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	2.10
Vce sat. V	2.50
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	15.00
t rise, nS	11.00
t off, nS	67.00
t fall, nS	226.00
Eon,mJ	0.070
Eoff,mJ	0.090
Etot,mJ
Qg, nC	14.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-220AB
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGTP1N120BN Datasheet FairChild (Samsung)