Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGT1S12N60A4DS

Транзистор	HGT1S12N60A4DS
Тип	Single
Vce, V	600.0
Vge,V	20.0
Ic, A	54.000
Ic max, A	96.0
P, W	167.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.75
Vce sat. V	2.00
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	17.00
t rise, nS	8.00
t off, nS	96.00
t fall, nS	18.00
Eon,mJ	0.055
Eoff,mJ	0.050
Etot,mJ
Qg, nC	97.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS	30.0
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGT1S12N60A4DS Datasheet FairChild (Samsung)