Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGT5A27N120BN

Транзистор	HGT5A27N120BN
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	72.000
Ic max, A	216.0
P, W	500.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.25
Vce sat. V	2.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	24.00
t rise, nS	20.00
t off, nS	195.00
t fall, nS	80.00
Eon,mJ	2.200
Eoff,mJ	2.300
Etot,mJ
Qg, nC	350.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-247
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGT5A27N120BN Datasheet FairChild (Samsung)