Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGT1S7N60A4S9A

Транзистор	HGT1S7N60A4S9A
Тип	Single
Vce, V	600.0
Vge,V	20.0
Ic, A	34.000
Ic max, A	56.0
P, W	125.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	1.00
Vce sat. V	1.90
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	11.00
t rise, nS	11.00
t off, nS	100.00
t fall, nS	45.00
Eon,mJ	0.055
Eoff,mJ	0.060
Etot,mJ
Qg, nC	48.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-263
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGT1S7N60A4S9A Datasheet FairChild (Samsung)