TIXER.RU

• 
  XY303V-02P 3.81mm лифт

  Купить
• 
  Батарейный отсек 4х18650 с проводами

  Купить
• 
  B-1002A, 100°C, 10 A, NO, Термостат нормально разомкнутый

  Купить
• 
  L-616-G 220v (10mm)

  Купить

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTG7N60A4

Транзистор HGTG7N60A4 Тип Single Vce, V 600.0 Vge,V 20.0 Ic, A 34.000 Ic max, A 56.0 P, W 125.000 t min,C -55 t max,C 150 Rth,C 1.00 Vce sat. V 1.90 Cies,pF Coes,pF Cres,pF t on, nS 11.00 t rise, nS 11.00 t off, nS 100.00 t fall, nS 45.00 Eon,mJ 0.055 Eoff,mJ 0.060 Etot,mJ Qg, nC 48.0 Qgc,nC Qge,nC t rr,nS Qrr, nC Возможные корпуса TO-247 Производитель FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

HGTG7N60A4 Datasheet FairChild (Samsung)