Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор NSGM200GB120B


ТранзисторNSGM200GB120B
ТипDual
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A200.000
Ic max, A400.0
P, W1400.000
t min,C-40
t max,C150
Rth,C0.11
Vce sat. V1.90
Cies,pF20000.0
Coes,pF1600.0
Cres,pF1000.0
t on, nS135.00
t rise, nS60.00
t off, nS490.00
t fall, nS75.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC1200.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS250.0
Qrr, nC12000.00
Возможные корпуса
Производитель
  • Nell semiconductor (http://www.nellsemi.com)
NSGM200GB120B Datasheet Nell semiconductor