Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGP10N60UNDF


ТранзисторFGP10N60UNDF
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A20.000
Ic max, A30.0
P, W139.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.90
Vce sat. V2.00
Cies,pF517.0
Coes,pF65.0
Cres,pF20.0
t on, nS8.00
t rise, nS6.30
t off, nS52.20
t fall, nS19.10
Eon,mJ0.150
Eoff,mJ0.050
Etot,mJ0.200
Qg, nC37.0
Qgc,nC21.0
Qge,nC5.0
t rr,nS37.7
Qrr, nC75.00
Возможные корпусаTO-220
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGP10N60UNDF Datasheet FairChild (Samsung)