Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGB5N60UNDF


ТранзисторFGB5N60UNDF
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A10.000
Ic max, A15.0
P, W73.500
t min,C-55
t max,C150
Rth,C1.70
Vce sat. V1.90
Cies,pF181.0
Coes,pF28.0
Cres,pF7.0
t on, nS5.40
t rise, nS1.90
t off, nS25.40
t fall, nS101.00
Eon,mJ0.080
Eoff,mJ0.070
Etot,mJ0.150
Qg, nC12.1
Qgc,nC7.2
Qge,nC1.7
t rr,nS35.0
Qrr, nC71.00
Возможные корпусаTO-263
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGB5N60UNDF Datasheet FairChild (Samsung)