Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGA30S120P


ТранзисторFGA30S120P
ТипSingle
Vce, V1300.0
Vge,V25.0
Ic, A60.000
Ic max, A150.0
P, W348.000
t min,C-55
t max,C175
Rth,C0.43
Vce sat. V1.75
Cies,pF3345.0
Coes,pF75.0
Cres,pF60.0
t on, nS39.00
t rise, nS360.00
t off, nS620.00
t fall, nS160.00
Eon,mJ1.300
Eoff,mJ1.220
Etot,mJ2.520
Qg, nC78.0
Qgc,nC4.2
Qge,nC33.3
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-3PN
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGA30S120P Datasheet FairChild (Samsung)