Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGL60N100BNTD


ТранзисторFGL60N100BNTD
ТипSingle
Vce, V1000.0
Vge,V25.0
Ic, A60.000
Ic max, A200.0
P, W180.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.69
Vce sat. V2.50
Cies,pF6000.0
Coes,pF260.0
Cres,pF200.0
t on, nS140.00
t rise, nS320.00
t off, nS630.00
t fall, nS130.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC275.0
Qgc,nC95.0
Qge,nC45.0
t rr,nS1200.0
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-264
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGL60N100BNTD Datasheet FairChild (Samsung)