Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTG5N120BND

Транзистор	HGTG5N120BND
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	21.000
Ic max, A	40.0
P, W	167.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.75
Vce sat. V	2.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	22.00
t rise, nS	15.00
t off, nS	160.00
t fall, nS	130.00
Eon,mJ	0.450
Eoff,mJ	0.390
Etot,mJ
Qg, nC	53.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-247
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com) Intersil (http://www.intersil.com)

	HGTG5N120BND Datasheet Intersil