Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGH40N65UFD


ТранзисторFGH40N65UFD
ТипSingle
Vce, V650.0
Vge,V20.0
Ic, A80.000
Ic max, A120.0
P, W290.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.43
Vce sat. V1.80
Cies,pF2110.0
Coes,pF200.0
Cres,pF60.0
t on, nS24.00
t rise, nS44.00
t off, nS112.00
t fall, nS30.00
Eon,mJ1.190
Eoff,mJ0.460
Etot,mJ1.650
Qg, nC120.0
Qgc,nC14.0
Qge,nC58.0
t rr,nS45.0
Qrr, nC75.00
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGH40N65UFD Datasheet FairChild (Samsung)