Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTP10N120BN

Транзистор	HGTP10N120BN
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	35.000
Ic max, A	80.0
P, W	298.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.42
Vce sat. V	2.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	23.00
t rise, nS	11.00
t off, nS	165.00
t fall, nS	100.00
Eon,mJ	0.320
Eoff,mJ	0.800
Etot,mJ
Qg, nC	130.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-220
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGTP10N120BN Datasheet FairChild (Samsung)