TIXER.RU

• 
  Фонарик карманный Y-1-828

  Купить
• 
  Флюс Flux TR-RMA 20мл

  Купить
• 
  КР140УД1Б

  Купить
• 
  N-283-R 220V

  Купить

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTG30N60A4

Транзистор HGTG30N60A4 Тип Single Vce, V 600.0 Vge,V 20.0 Ic, A 75.000 Ic max, A 240.0 P, W 463.000 t min,C -55 t max,C 150 Rth,C 0.27 Vce sat. V 1.80 Cies,pF Coes,pF Cres,pF t on, nS 25.00 t rise, nS 12.00 t off, nS 150.00 t fall, nS 38.00 Eon,mJ 0.280 Eoff,mJ 0.240 Etot,mJ Qg, nC 300.0 Qgc,nC Qge,nC t rr,nS Qrr, nC Возможные корпуса TO-247 Производитель FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

HGTG30N60A4 Datasheet FairChild (Samsung)