Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTG30N60B3


ТранзисторHGTG30N60B3
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A60.000
Ic max, A220.0
P, W208.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.60
Vce sat. V1.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS36.00
t rise, nS25.00
t off, nS137.00
t fall, nS58.00
Eon,mJ0.500
Eoff,mJ0.680
Etot,mJ
Qg, nC230.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
HGTG30N60B3 Datasheet FairChild (Samsung)