Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGH80N60FD


ТранзисторFGH80N60FD
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A80.000
Ic max, A160.0
P, W290.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.43
Vce sat. V1.80
Cies,pF2110.0
Coes,pF200.0
Cres,pF60.0
t on, nS21.00
t rise, nS56.00
t off, nS126.00
t fall, nS50.00
Eon,mJ1.000
Eoff,mJ0.520
Etot,mJ1.520
Qg, nC120.0
Qgc,nC58.0
Qge,nC14.0
t rr,nS36.0
Qrr, nC46.80
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGH80N60FD Datasheet FairChild (Samsung)