Добро пожаловать в TIXER.RU, Войти или Зарегистрироваться

TIXER.RU

Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTG18N120BND

Транзистор	HGTG18N120BND
Тип	Single
Vce, V	1200.0
Vge,V	20.0
Ic, A	54.000
Ic max, A	160.0
P, W	390.000
t min,C	-55
t max,C	150
Rth,C	0.32
Vce sat. V	2.45
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS	23.00
t rise, nS	17.00
t off, nS	170.00
t fall, nS	90.00
Eon,mJ	1.900
Eoff,mJ	1.800
Etot,mJ
Qg, nC	220.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS	60.0
Qrr, nC
Возможные корпуса	TO-247
Производитель	FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)

	HGTG18N120BND Datasheet FairChild (Samsung)