Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGL35N120FTD


ТранзисторFGL35N120FTD
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V25.0
Ic, A70.000
Ic max, A105.0
P, W368.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.34
Vce sat. V1.68
Cies,pF5090.0
Coes,pF180.0
Cres,pF95.0
t on, nS34.00
t rise, nS63.00
t off, nS172.00
t fall, nS107.00
Eon,mJ2.500
Eoff,mJ1.700
Etot,mJ4.200
Qg, nC210.0
Qgc,nC101.0
Qge,nC42.0
t rr,nS337.0
Qrr, nC1292.00
Возможные корпусаTO-264
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGL35N120FTD Datasheet FairChild (Samsung)