Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор HGTP20N60A4


ТранзисторHGTP20N60A4
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A70.000
Ic max, A280.0
P, W290.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.43
Vce sat. V1.80
Cies,pF
Coes,pF
Cres,pF
t on, nS15.00
t rise, nS12.00
t off, nS73.00
t fall, nS32.00
Eon,mJ105.000
Eoff,mJ150.000
Etot,mJ
Qg, nC182.0
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-220
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
HGTP20N60A4 Datasheet FairChild (Samsung)