Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGH75N60UF


ТранзисторFGH75N60UF
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A150.000
Ic max, A225.0
P, W452.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.28
Vce sat. V1.90
Cies,pF3850.0
Coes,pF375.0
Cres,pF147.0
t on, nS27.00
t rise, nS70.00
t off, nS128.00
t fall, nS30.00
Eon,mJ3.050
Eoff,mJ1.350
Etot,mJ4.400
Qg, nC250.0
Qgc,nC30.0
Qge,nC130.0
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGH75N60UF Datasheet FairChild (Samsung)