Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGD3N60LSD


ТранзисторFGD3N60LSD
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V25.0
Ic, A6.000
Ic max, A25.0
P, W40.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C3.10
Vce sat. V1.80
Cies,pF185.0
Coes,pF20.0
Cres,pF5.5
t on, nS40.00
t rise, nS40.00
t off, nS600.00
t fall, nS600.00
Eon,mJ0.250
Eoff,mJ1.000
Etot,mJ1.250
Qg, nC12.5
Qgc,nC4.9
Qge,nC2.8
t rr,nS234.0
Qrr, nC309.00
Возможные корпусаTO-252
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGD3N60LSD Datasheet FairChild (Samsung)