Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор FGA50N100BNTD2


ТранзисторFGA50N100BNTD2
ТипSingle
Vce, V1000.0
Vge,V25.0
Ic, A50.000
Ic max, A200.0
P, W156.000
t min,C-55
t max,C150
Rth,C0.80
Vce sat. V2.50
Cies,pF6000.0
Coes,pF260.0
Cres,pF200.0
t on, nS34.00
t rise, nS68.00
t off, nS243.00
t fall, nS65.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC257.0
Qgc,nC45.0
Qge,nC95.0
t rr,nS60.0
Qrr, nC
Возможные корпусаTO-247
Производитель
  • FairChild (Samsung) (http://www.fairchildsemi.com)
FGA50N100BNTD2 Datasheet FairChild (Samsung)