Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC185T170R2C


ТранзисторSIGC185T170R2C
ТипSingle
Vce, V1700.0
Vge,V20.0
Ic, A100.000
Ic max, A300.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.70
Cies,pF7000.0
Coes,pF
Cres,pF300.0
t on, nS100.00
t rise, nS100.00
t off, nS900.00
t fall, nS30.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC185T170R2C Datasheet Infineon (Siemens)