Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC186T170R3


ТранзисторSIGC186T170R3
ТипSingle
Vce, V1700.0
Vge,V20.0
Ic, A150.000
Ic max, A450.0
P, W
t min,C-40
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.00
Cies,pF13196.0
Coes,pF
Cres,pF438.0
t on, nS
t rise, nS66.00
t off, nS
t fall, nS300.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC186T170R3 Datasheet Infineon (Siemens)