Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC12T120L


ТранзисторSIGC12T120L
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A8.000
Ic max, A24.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V1.70
Cies,pF600.0
Coes,pF36.0
Cres,pF28.0
t on, nS40.00
t rise, nS26.00
t off, nS570.00
t fall, nS140.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC12T120L Datasheet Infineon (Siemens)