Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC156T120R2CQ


ТранзисторSIGC156T120R2CQ
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A100.000
Ic max, A300.0
P, W
t min,C-40
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.10
Cies,pF7850.0
Coes,pF650.0
Cres,pF275.0
t on, nS234.00
t rise, nS40.00
t off, nS367.00
t fall, nS84.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC156T120R2CQ Datasheet Infineon (Siemens)