Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC101T170R3


ТранзисторSIGC101T170R3
ТипSingle
Vce, V1700.0
Vge,V20.0
Ic, A75.000
Ic max, A225.0
P, W
t min,C-40
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.00
Cies,pF6638.0
Coes,pF
Cres,pF220.0
t on, nS
t rise, nS50.00
t off, nS
t fall, nS300.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC101T170R3 Datasheet Infineon (Siemens)