Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC223T120R2CS


ТранзисторSIGC223T120R2CS
ТипSingle
Vce, V1200.0
Vge,V20.0
Ic, A150.000
Ic max, A450.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V3.20
Cies,pF9300.0
Coes,pF1400.0
Cres,pF700.0
t on, nS125.00
t rise, nS100.00
t off, nS590.00
t fall, nS70.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC223T120R2CS Datasheet Infineon (Siemens)