Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC42T170R3G


ТранзисторSIGC42T170R3G
ТипSingle
Vce, V1700.0
Vge,V20.0
Ic, A29.000
Ic max, A87.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.00
Cies,pF2500.0
Coes,pF105.0
Cres,pF84.0
t on, nS400.00
t rise, nS50.00
t off, nS800.00
t fall, nS300.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC42T170R3G Datasheet Infineon (Siemens)