Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC121T60NR2C


ТранзисторSIGC121T60NR2C
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A150.000
Ic max, A450.0
P, W
t min,C-55
t max,C150
Rth,C
Vce sat. V2.00
Cies,pF6500.0
Coes,pF
Cres,pF600.0
t on, nS125.00
t rise, nS30.00
t off, nS225.00
t fall, nS35.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпусаChip
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC121T60NR2C Datasheet Infineon (Siemens)