Справочник по IGBT транзисторам. Datasheet на транзистор SIGC08T60


ТранзисторSIGC08T60
ТипSingle
Vce, V600.0
Vge,V20.0
Ic, A15.000
Ic max, A45.0
P, W
t min,C-40
t max,C175
Rth,C
Vce sat. V1.50
Cies,pF860.0
Coes,pF55.0
Cres,pF24.0
t on, nS14.00
t rise, nS11.00
t off, nS110.00
t fall, nS85.00
Eon,mJ
Eoff,mJ
Etot,mJ
Qg, nC
Qgc,nC
Qge,nC
t rr,nS
Qrr, nC
Возможные корпуса
Производитель
  • Infineon (Siemens) (http://infineon.com)
SIGC08T60 Datasheet Infineon (Siemens)